BSP230
P-channel enhancement mode vertical d-mos transistor
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 Ohm @ 170mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 300V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 210mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.55V @ 1mA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 90pF @ 25V |
| Power - Max | 1.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | SOT-223 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BSP230 (MOSFET) P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
24LC512-I/P |
|
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8 | MICRO CHIP | 232 | 113.65 | |
|
|
|
24LC512-I/P |
|
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8 |
|
220.00 | ||
|
|
|
24LC512-I/P |
|
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8 | MICRO CHIP | 25 |
|
|
|
|
|
24LC512-I/P |
|
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8 | Microchip Technology |
|
|
|
|
|
|
24LC512-I/P |
|
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8 | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|
|
|
|
24LC512-I/P |
|
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8 | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|
|
|
|
24LC512-I/P |
|
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 638 |
|
|
| BSP304A | PHILIPS |
|
|
|||||
| BSP304A | NXP |
|
|
|||||
| BSP304A | NXP |
|
|
|||||
| BSP304A | PHILIPS |
|
|
|||||
| КП 501 Б | RUS |
|
|
|||||
| КС 182 Ж | RUS |
|
|
|||||
| КТ 3157 А | RUS |
|
|
