IPW60R041C6
|
MOSFET N-CH 600V 77.5A TO 247-3 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | CoolMOS™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41 mOhm @ 44.4A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 77.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 2.96mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 290nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 6530pF @ 10V |
| Power - Max | 481W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 |
| Корпус | PG-TO247-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LTV-817-C | LITE ON OPTOELECTRONICS |
|
|
|||||
| LTV-817-C | LITE ON OPTOELECTRONICS |
|
|
|||||
| LTV-817-C | LITE-ON |
|
|
|||||
| LTV-817-C |
|
|
||||||
| LTV-817-C | LIT | 9 532 | 3.22 | |||||
| PBSS5540X.135 | NXP |
|
|
|||||
| PBSS5540X.135 | NEX-NXP |
|
|
|||||
| PBSS5540X.135 |
|
|
