| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
BZX55-C6V2 |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BZX55-C6V2 |
|
|
DC COMPONENTS
|
9 981
|
1.70
>100 шт. 0.85
|
|
|
|
|
BZX55-C6V2 |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
BZX55-C6V2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
BZX55-C6V2 |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BZX55-C6V2 |
|
|
KEEN SIDE
|
12 856
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
119
|
81.20
|
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
|
1 319
|
88.80
|
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
VBSEMI
|
|
|
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
EVVO
|
839
|
33.11
|
|
|
|
IRFB23N20D |
|
Силовой МOSFET транзистор с дискретным N-каналом
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFB23N20D |
|
Силовой МOSFET транзистор с дискретным N-каналом
|
|
|
260.00
|
|
|
|
IRFB23N20D |
|
Силовой МOSFET транзистор с дискретным N-каналом
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
KBPC610 |
|
Диодный мост 6A 1000B D-72
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
KBPC610 |
|
Диодный мост 6A 1000B D-72
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
KBPC610 |
|
Диодный мост 6A 1000B D-72
|
|
400
|
18.79
|
|
|
|
KBPC610 |
|
Диодный мост 6A 1000B D-72
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
KBPC610 |
|
Диодный мост 6A 1000B D-72
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
KBPC610 |
|
Диодный мост 6A 1000B D-72
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
KBPC610 |
|
Диодный мост 6A 1000B D-72
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
KBPC610 |
|
Диодный мост 6A 1000B D-72
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
KBPC610 |
|
Диодный мост 6A 1000B D-72
|
YJ
|
11 612
|
19.05
|
|
|
|
KBPC610 |
|
Диодный мост 6A 1000B D-72
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
KBPC610 |
|
Диодный мост 6A 1000B D-72
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
KBPC610 |
|
Диодный мост 6A 1000B D-72
|
HOTTECH
|
149
|
14.29
|
|
|
|
KBPC610 |
|
Диодный мост 6A 1000B D-72
|
SUNTAN
|
7
|
48.90
|
|
|
|
KBPC610 |
|
Диодный мост 6A 1000B D-72
|
KLS
|
|
|
|
|
|
KBPC610 |
|
Диодный мост 6A 1000B D-72
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
KBPC610 |
|
Диодный мост 6A 1000B D-72
|
SEP
|
112
|
22.89
|
|
|
|
KBPC610 |
|
Диодный мост 6A 1000B D-72
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
KBPC610 |
|
Диодный мост 6A 1000B D-72
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
KBPC610 |
|
Диодный мост 6A 1000B D-72
|
RUICHI
|
|
|
|
|
|
|
MJD122T4 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
9 880
|
35.19
|
|
|
|
|
MJD122T4 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MJD122T4 |
|
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
MJD122T4 |
|
|
|
1 394
|
47.04
|
|
|
|
|
MJD122T4 |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
29
|
|
|
|
|
|
MJD122T4 |
|
|
STMicroelectronics
|
15 992
|
62.53
|
|
|
|
|
MJD122T4 |
|
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
MJD122T4 |
|
|
<>
|
|
|
|