HIP9010AB SO20

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
SAF-C509-LM-DB
SAF-C509-LM-DB
SAF-C509-LM-DB		ROCHESTER ELECTRONICS LLC
SAF-C509-LM-DB		4-7 НЕДЕЛЬ	226
SCSM-28 (2.54MM)	Панели для микросхем с цанговыми контактами шаг 2.54мм, контактов 28 в 2 ряда			53.72
SCSM-28 (2.54MM)	Панели для микросхем с цанговыми контактами шаг 2.54мм, контактов 28 в 2 ряда	CONNFLY
STGB10NB37LZ	IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRONICS
STGB10NB37LZ	IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый		4	340.00
STGB10NB37LZ	IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRONICS SEMI
STGB10NB37LZ	IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	STMicroelectronics
STGB10NB37LZ	IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	КИТАЙ
STGB10NB37LZ	IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRO
TDA7295	Усилитель низкой частоты DMOS, 2x50W (2x30V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x80W	ST MICROELECTRONICS
TDA7295	Усилитель низкой частоты DMOS, 2x50W (2x30V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x80W	MATSUSHITA
TDA7295	Усилитель низкой частоты DMOS, 2x50W (2x30V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x80W			320.00
TDA7295	Усилитель низкой частоты DMOS, 2x50W (2x30V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x80W	ST MICROELECTRONICS SEMI
TDA7295	Усилитель низкой частоты DMOS, 2x50W (2x30V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x80W	STMicroelectronics
TDA7295	Усилитель низкой частоты DMOS, 2x50W (2x30V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x80W	ST MICROELECTRO
TDA7295	Усилитель низкой частоты DMOS, 2x50W (2x30V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x80W	STMICROELECTR
TDA7295	Усилитель низкой частоты DMOS, 2x50W (2x30V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x80W	4-7 НЕДЕЛЬ	50
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WINBOND	208	340.96
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WIN
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	Winbond Electronics
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	NO NAME
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс			141.80
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	4-7 НЕДЕЛЬ	1 257