| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
1206-33 5% |
|
ЧИП — резистор
|
|
40
|
0.96
>500 шт. 0.32
|
|
 |
 |
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
|
64 856
|
1.82
>100 шт. 0.91
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
PHILIPS
|
800
|
8.59
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
NXP
|
2 196
|
2.57
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
DC COMPONENTS
|
29 424
|
2.71
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
UTC
|
38
|
5.90
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
DIOTEC
|
239
|
2.84
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
NXP
|
2 497
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
HOTTECH
|
283 184
|
1.11
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
LRC
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
YJ
|
2 191 036
|
1.78
>100 шт. 0.89
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
5
|
1.60
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
ZH
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
TRR
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
SUNTAN
|
712 712
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
1
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
3611
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
611
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
RUME
|
31 680
|
1.47
>500 шт. 0.49
|
|
|
|
|
EM4095HMSO16A+ |
|
|
EMMARIN
|
|
|
|
|
|
|
EM4095HMSO16A+ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
EM4095HMSO16A+ |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
236
|
|
|
|
|
|
ICE2A165 |
|
SMPS упpавление MOSFET, 650V/3 Om / Fmax=100 kHz
|
INFINEON
|
9
|
159.00
|
|
|
|
|
ICE2A165 |
|
SMPS упpавление MOSFET, 650V/3 Om / Fmax=100 kHz
|
|
|
156.80
|
|
|
|
|
ICE2A165 |
|
SMPS упpавление MOSFET, 650V/3 Om / Fmax=100 kHz
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
|
ICE2A165 |
|
SMPS упpавление MOSFET, 650V/3 Om / Fmax=100 kHz
|
США
|
|
|
|
|
|
|
ICE2A165 |
|
SMPS упpавление MOSFET, 650V/3 Om / Fmax=100 kHz
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
ICE2A165 |
|
SMPS упpавление MOSFET, 650V/3 Om / Fmax=100 kHz
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
|
ICE2A165 |
|
SMPS упpавление MOSFET, 650V/3 Om / Fmax=100 kHz
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
632
|
|
|
|
|
|
ICE2A165 |
|
SMPS упpавление MOSFET, 650V/3 Om / Fmax=100 kHz
|
17
|
|
|
|
|
|
|
LM2903DGKR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
2 864
|
13.43
|
|
|
|
|
LM2903DGKR |
|
|
Rohm Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
LM2903DGKR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
25
|
|
|
|
|
|
LM2903DGKR |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LM2903DGKR |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
LM2903DGKR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
242
|
|
|
Версия для печати
