|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
24C02C-I/P |
|
ИС памяти 2кбит, 256*8, 400кГц, 3мА, 5В, serial, 2-Wire, I2C, 900нс
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
24C02C-I/P |
|
ИС памяти 2кбит, 256*8, 400кГц, 3мА, 5В, serial, 2-Wire, I2C, 900нс
|
MICRO CHIP
|
200
|
|
|
|
|
24C02C-I/P |
|
ИС памяти 2кбит, 256*8, 400кГц, 3мА, 5В, serial, 2-Wire, I2C, 900нс
|
MICRO CHIP
|
19
|
23.30
|
|
|
|
24C02C-I/P |
|
ИС памяти 2кбит, 256*8, 400кГц, 3мА, 5В, serial, 2-Wire, I2C, 900нс
|
|
|
|
|
|
|
24C02C-I/P |
|
ИС памяти 2кбит, 256*8, 400кГц, 3мА, 5В, serial, 2-Wire, I2C, 900нс
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
754
|
|
|
|
|
AT24C08BN-SH-T |
|
EEPROM ser 2,7..5,5V 1Kx8
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
AT24C08BN-SH-T |
|
EEPROM ser 2,7..5,5V 1Kx8
|
ATMEL CORPORATION
|
|
|
|
|
|
AT24C08BN-SH-T |
|
EEPROM ser 2,7..5,5V 1Kx8
|
|
|
|
|
|
|
AT24C08BN-SH-T |
|
EEPROM ser 2,7..5,5V 1Kx8
|
|
|
|
|
|
|
AT24C08BN-SH-T |
|
EEPROM ser 2,7..5,5V 1Kx8
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
AT24C08BN-SH-T |
|
EEPROM ser 2,7..5,5V 1Kx8
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
30
|
|
|
|
|
BU808DFH |
|
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BU808DFH |
|
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...
|
|
|
182.40
|
|
|
|
BU808DFH |
|
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BU808DFH |
|
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...
|
ST1
|
|
|
|
|
|
FJP13009 |
|
NPN 700V, 12A, 100W, 0.7uS
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FJP13009 |
|
NPN 700V, 12A, 100W, 0.7uS
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FJP13009 |
|
NPN 700V, 12A, 100W, 0.7uS
|
|
|
117.60
|
|
|
|
FJP13009 |
|
NPN 700V, 12A, 100W, 0.7uS
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FJP13009 |
|
NPN 700V, 12A, 100W, 0.7uS
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FJP13009 |
|
NPN 700V, 12A, 100W, 0.7uS
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FJP13009 |
|
NPN 700V, 12A, 100W, 0.7uS
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
FJP13009 |
|
NPN 700V, 12A, 100W, 0.7uS
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
|
|
63.88
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
HOTTECH
|
83
|
38.25
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
KEC
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
ZH
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
FAIRCHILD
|
12
|
22.51
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
KLS
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
ZHONGDI
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
БРЯНСК
|
790
|
132.30
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
ISC
|
518
|
53.24
|
|