STD3NK90ZT4

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
STD3NK90ZT4 (ST MICROELECTRONICS)	459	75.72

Версия для печати

Технические характеристики STD3NK90ZT4

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	SuperMESH™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8 Ohm @ 1.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	22.7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	590pF @ 25V
Power - Max	90W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SK3567	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 3.5A, 35W)	TOSHIBA
2SK3567	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 3.5A, 35W)	TOS	44	99.10
2SK3567	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 3.5A, 35W)		2	147.42
2SK3567	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 3.5A, 35W)	FAIR
2SK3567	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 3.5A, 35W)	TOSHIBA	180
ICE2PCS01GXT		INFINEON
ICE2PCS01GXT
ICE2PCS01GXT		4-7 НЕДЕЛЬ	596
IKW50N60T		Infineon Technologies
IKW50N60T		INFINEON
IKW50N60T
NCP1200P60G		ON SEMICONDUCTOR
NCP1200P60G		ONS	76	161.97
NCP1200P60G				196.00
NCP1200P60G		КИТАЙ
NCP1200P60G		ON SEMICONDUCTOR
NCP1200P60G		ON SEMICONDUCTO
NCP1200P60G		4-7 НЕДЕЛЬ	213
SS8050	Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	SAMSUNG
SS8050	Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz		14 509	1.86 >100 шт. 0.93
SS8050	Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	CJ	11	4.13
SS8050	Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	YJ
SS8050	Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	HOTTECH	10 924	1.52