SI3459DV-T1-E3

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SI3459DV-T1-E3 (SILICONIX.)	815	3-4 недели Цена по запросу

MOSFET P-CH 60V 2.2A 6-TSOP

Версия для печати

Технические характеристики SI3459DV-T1-E3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchFET®
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	220 mOhm @ 2.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	14nC @ 10V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	6-TSOP (0.065", 1.65mm Width)
Корпус	6-TSOP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SI3459DV-T1-E3 datasheet