SIA430DJ-T1-GE3

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SIA430DJ-T1-GE3 (SILICONIX.)	1 076	3-4 недели Цена по запросу
SIA430DJ-T1-GE3 (VISHAY.)	2 000	3-4 недели Цена по запросу

MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6

Версия для печати

Технические характеристики SIA430DJ-T1-GE3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.5 mOhm @ 7A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	12A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	18nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	800pF @ 10V
Power - Max	19.2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	PowerPAK® SC-70-6
Корпус	PowerPAK® SC-70-6 Single

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SIA430DJ-T1-GE3 datasheet