|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | STripFET™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 40A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 80A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 54nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2200pF @ 25V |
| Power - Max | 110W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
|
STD95N4F3 (MOSFET) N-channel 40V - 5.4m? - 80A - DPAK STripFET™ Power MOSFET
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1000МКФ 25 (10X21)105°C |
|
Конденсатор электролитический 1000мкФ, 25В |
|
|
||||
| 47МКФ 35 (5X11)105°C |
|
|
||||||
| FDD4685 | FAIR |
|
|
|||||
| FDD4685 | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| FDD4685 | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| FDD4685 | FSC |
|
|
|||||
| FDD4685 | Fairchild Semiconductor |
|
|
|||||
| FDD4685 |
|
|
||||||
| FDD4685 |
|
|
||||||
| FDD4685 | ONS |
|
|
|||||
| FDD4685 | ONS-FAIR |
|
|
|||||
| SH006M1000B5S-1012 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 6.3 В | YAGEO |
|
|
|||
| SH006M1000B5S-1012 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 6.3 В | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||
| SH006M1000B5S-1012 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 6.3 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||
| SK035M0470B5S-1015 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 35 В | YAGEO |
|
|
|||
| SK035M0470B5S-1015 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 35 В | YAGEO |
|
|
|||
| SK035M0470B5S-1015 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 35 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||
| SK035M0470B5S-1015 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 35 В |
|
|