NSS20101JT1G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
NSS20101JT1G (ON SEMICONDUCTOR.)	2 219	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики NSS20101JT1G

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	220mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	20V
Current - Collector (Ic) (Max)	1A
Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 100mA, 2V
Power - Max	300mW
Frequency - Transition	350MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-89, SOT-490
Корпус	SC-89

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.