|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N5349BRLG |
|
Стабилитрон (Vz=12V(nom) @Iz=100 mA, tol=5%)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5349BRLG |
|
Стабилитрон (Vz=12V(nom) @Iz=100 mA, tol=5%)
|
ONS
|
1 440
|
52.69
|
|
|
|
1N5349BRLG |
|
Стабилитрон (Vz=12V(nom) @Iz=100 mA, tol=5%)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5349BRLG |
|
Стабилитрон (Vz=12V(nom) @Iz=100 mA, tol=5%)
|
|
|
13.96
|
|
|
|
1N5349BRLG |
|
Стабилитрон (Vz=12V(nom) @Iz=100 mA, tol=5%)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
IRFBE30 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFBE30 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFBE30 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...
|
|
4
|
151.20
|
|
|
|
IRFBE30 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFBE30 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFBE30 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRFBE30 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
К155ЛА1 |
|
|
|
872
|
37.80
|
|
|
|
К155ЛА1 |
|
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
К155ЛА1 |
|
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
К155ЛА1 |
|
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
К155ЛА1 |
|
|
МИКРОН
|
|
|
|
|
|
КД503А |
|
Импульсный диод 30В, 0,015А, 0,01 мкс
|
|
1 029
|
1.10
|
|
|
|
КД503А |
|
Импульсный диод 30В, 0,015А, 0,01 мкс
|
ХЕРСОН
|
|
|
|
|
|
КД503А |
|
Импульсный диод 30В, 0,015А, 0,01 мкс
|
ДНЕПР
|
1 584
|
1.59
|
|
|
|
КД503А |
|
Импульсный диод 30В, 0,015А, 0,01 мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
ПМ-11П5Н |
|
|
|
|
200.28
|
|