Д226 В

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
Д226 В	5	18.00

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1N5349BRLG	Стабилитрон (Vz=12V(nom) @Iz=100 mA, tol=5%)	ON SEMICONDUCTOR
1N5349BRLG	Стабилитрон (Vz=12V(nom) @Iz=100 mA, tol=5%)	ONS	1 280	52.69
1N5349BRLG	Стабилитрон (Vz=12V(nom) @Iz=100 mA, tol=5%)	ON SEMICONDUCTOR
1N5349BRLG	Стабилитрон (Vz=12V(nom) @Iz=100 mA, tol=5%)			13.96
1N5349BRLG	Стабилитрон (Vz=12V(nom) @Iz=100 mA, tol=5%)	ON SEMICONDUCTO
IRFBE30	N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFBE30	N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	VISHAY
IRFBE30	N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...		4	151.20
IRFBE30	N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	Vishay/Siliconix
IRFBE30	N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFBE30	N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	КИТАЙ
IRFBE30	N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	1
К155ЛА1			872	37.80
К155ЛА1		ЗПП
К155ЛА1		ЗПП МИНСК
К155ЛА1		МИНСК
К155ЛА1		МИКРОН
КД503А	Импульсный диод 30В, 0,015А, 0,01 мкс		974	1.10
КД503А	Импульсный диод 30В, 0,015А, 0,01 мкс	ХЕРСОН
КД503А	Импульсный диод 30В, 0,015А, 0,01 мкс	ДНЕПР	1 584	1.59
КД503А	Импульсный диод 30В, 0,015А, 0,01 мкс	RUS
ПМ-11П5Н				200.28