GBU8K

Версия для печати

Технические характеристики GBU8K

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SK2545	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 6A, 40W)	TOSHIBA	80	128.83
2SK2545	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 6A, 40W)		1	226.80
2SK2545	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 6A, 40W)	TOS
2SK2545	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 6A, 40W)	МАЛАЙЗИЯ
2SK2545	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 6A, 40W)	JAPAN
BAR43CFILM	2xSMD-Schottky 30V 0,1A	ST MICROELECTRONICS	33	12.60
BAR43CFILM	2xSMD-Schottky 30V 0,1A	ST MICROELECTRONICS SEMI
BAR43CFILM	2xSMD-Schottky 30V 0,1A	STMicroelectronics
BAR43CFILM	2xSMD-Schottky 30V 0,1A	КИТАЙ
BAR43CFILM	2xSMD-Schottky 30V 0,1A		8
BAR43CFILM	2xSMD-Schottky 30V 0,1A	ST MICROELECTRO
BZX84-C18		GENERAL SEMICONDUCTOR
BZX84-C18		PHILIPS
BZX84-C18		NXP
BZX84-C18		GENERAL SEMICONDUCTOR
BZX84-C18		NXP	516
BZX84-C18		PHILIPS	256
BZX84-C18		PHILIPS SEMIC
BZX84-C18
BZX84-C18		KEEN SIDE	11 765	1.50 >100 шт. 0.75
ВПТ6-11 3.15А	Вставка плавкая замедленного действия 3.15А, 250В			12.52
ВПТ6-11 3.15А	Вставка плавкая замедленного действия 3.15А, 250В	РАДИОДЕТАЛЬ
ВПТ6-11 3.15А	Вставка плавкая замедленного действия 3.15А, 250В	РАДИОДЕТ	165	18.66
ДП1-М