Версия для печати
Технические характеристики AD5324BRMZ

Корпус	10-MSOP
Корпус (размер)	10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-40°C ~ 105°C
Напряжение питания источника	Single Supply
Число преобразователей	4
Интерфейс подключения	DSP, MICROWIRE™, QSPI™, Serial, SPI™
Бит	12
Settling Time	8µs
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Преобразование данных (DAQ)

 » 

Цифра в аналог (DAC)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1564ТМ2				452	625.30
		1564ТМ2			НОВОСИБИРСК	25	462.00
		1564ТМ2			ПАВЛОВ ПОСАД
		1564ТМ2			ПАВЛОВ.ПОСАД
		1564ТМ2			НОВОСИБИРАСК
		1564ТМ2			ПАВЛОВСКИЙ ПОСАД	23	420.00
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт		74 911	1.12
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	INFINEON
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	PHILIPS	800	7.56
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	NXP
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	MCC
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	DC COMPONENTS	28 182	2.04
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	UTC	40	5.67
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	DIOTEC	33 661	2.54
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	ON SEMICONDUCTOR
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	GALAXY
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	ONS
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	NXP	2 497
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	PHILIPS
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	STMicroelectronics
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	PHILIPS SEMIC
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	КИТАЙ
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	KINGTRON
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	GALAXY ME
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	HOTTECH	1 370 175	1.60
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	LRC
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	KLS
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	NEXPERIA
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	YJ	1 691 932	1.20
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	YANGJIE (YJ)
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	NEX-NXP
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD	101	1.72
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	ZH
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	YANGJIE
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	TRR
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	SUNTAN	1 365 559	1.96  >100 шт.   0.98
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	1
		FQ18-4ZK (БЛ.РОЗ.)					279.92
		FQ18-4ZK (БЛ.РОЗ.)					279.92
		LM338T		ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM338T		ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220		1	405.72
		LM338T		ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220	NSC
		LM338T		ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220	США
		LM338T		ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		LM338T		ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220	TEXAS INSTRUMENTS
		LM338T		ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220	TEXAS
		LM338T		ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220	HGSEMI	596	37.73
		LM338T		ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220	4-7 НЕДЕЛЬ	275
		LQH55DN470M03L		SMD индуктивность 47мкГн +/-20%, Imax=0,8 A 2220	MURATA	3 508	161.24
		LQH55DN470M03L		SMD индуктивность 47мкГн +/-20%, Imax=0,8 A 2220		192	168.00
		LQH55DN470M03L		SMD индуктивность 47мкГн +/-20%, Imax=0,8 A 2220	MUR	6 755	55.71
		LQH55DN470M03L		SMD индуктивность 47мкГн +/-20%, Imax=0,8 A 2220	MURATA

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"