| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
0603-0 5% |
|
Премычка SMD - джампер
|
FAITHFUL LINK
|
|
|
|
|
|
0603-0 5% |
|
Премычка SMD - джампер
|
|
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
5 607
|
1.68
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
12 161
|
1.32
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
185
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
15 485
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
1 100
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIODES INCORPORATED
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
339 828
|
1.72
>100 шт. 0.86
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
565 040
|
1.80
>100 шт. 0.90
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
CJ
|
336
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
87 336
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
7 200
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JINGDAO
|
166 815
|
1.18
>100 шт. 0.59
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TWGMC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MDD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PLINGSEMIC
|
141 950
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SLKOR
|
96
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KEEN SIDE
|
149 529
|
1.35
>500 шт. 0.45
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель
|
ST MICROELECTRONICS
|
12 370
|
10.50
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель
|
|
2 235
|
5.13
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
3 010
|
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель
|
Rohm Semiconductor
|
|
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
674
|
|
|
|
|
|
LP2980AIM5-3.3 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LP2980AIM5-3.3 |
|
|
|
|
38.40
|
|
|
|
|
LP2980AIM5-3.3 |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LP2980AIM5-3.3 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LP2980AIM5-3.3 |
|
|
ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
|
|
|
|
|
|
|
LP2980AIM5-3.3 |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
1
|
44.73
|
|
|
|
|
LP2980AIM5-3.3 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
112
|
|
|
|
|
PIC12F675-I/SN |
|
Микроконтроллер 1Kx14 Flash 6I/O 20MHz
|
MICRO CHIP
|
2 644
|
123.98
|
|
|
|
PIC12F675-I/SN |
|
Микроконтроллер 1Kx14 Flash 6I/O 20MHz
|
|
1 008
|
91.31
|
|
|
|
PIC12F675-I/SN |
|
Микроконтроллер 1Kx14 Flash 6I/O 20MHz
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
PIC12F675-I/SN |
|
Микроконтроллер 1Kx14 Flash 6I/O 20MHz
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
PIC12F675-I/SN |
|
Микроконтроллер 1Kx14 Flash 6I/O 20MHz
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
PIC12F675-I/SN |
|
Микроконтроллер 1Kx14 Flash 6I/O 20MHz
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
PIC12F675-I/SN |
|
Микроконтроллер 1Kx14 Flash 6I/O 20MHz
|
1
|
|
|
|
|
|
PIC12F675-I/SN |
|
Микроконтроллер 1Kx14 Flash 6I/O 20MHz
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
295
|
|
|