| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
1
|
11.01
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
228 138
|
2.36
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
44 859
|
2.84
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
47 671
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
3 467
|
1.43
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
5.47
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
1 576 379
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
426
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
102 515
|
1.14
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
220
|
1.33
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
2 865
|
1.05
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
1 516 214
|
0.93
>500 шт. 0.31
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
524 425
|
1.72
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
134 456
|
1.86
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
271 200
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
460
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
8 384
|
1.02
>500 шт. 0.34
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 686
|
1.43
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
CJ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEEN SIDE
|
173 380
|
1.35
>500 шт. 0.45
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
2138
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
4334
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ASEMI
|
175 214
|
1.29
>500 шт. 0.43
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
19480
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
22054
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
643
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
1054
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
543
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGZHOUYANGJIEEL
|
591 996
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
|
75 400
|
1.10
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FAIRCHILD
|
2 248
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
DI
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
256
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
PANJIT
|
1
|
2.52
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YJ
|
324 180
|
1.80
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
HOTTECH
|
11 656
|
1.18
>100 шт. 0.59
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
SIKOR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
JSCJ
|
30 204
|
2.36
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YOUTAI
|
51 525
|
1.76
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
SUNTAN
|
323
|
1.39
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
SHIKUES
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
EVVO
|
67 297
|
1.72
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
9156
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
RUME
|
2 400
|
1.66
>100 шт. 0.83
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
TRR
|
7 200
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
XXW
|
116 643
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
ZETEX
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
|
7 279
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
FAIRCHILD
|
188
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
PHILIPS
|
164
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
ZETEX
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
NXP
|
139
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
YJ
|
108 476
|
2.34
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
YOUTAI
|
10 104
|
2.74
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
HOTTECH
|
1 472
|
1.04
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
UMW
|
1 280
|
2.07
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
SUNTAN
|
284
|
1.23
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
SHIKUES
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
LGE
|
483
|
2.03
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
XSEMI
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
1400
|
|
|
|
|
|
|
TDA1515BQ |
|
УHЧ 2x12W, 24W BTL (14.4V/4 Ом)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
TDA1515BQ |
|
УHЧ 2x12W, 24W BTL (14.4V/4 Ом)
|
|
1
|
113.40
|
|
|
|
|
TDA1515BQ |
|
УHЧ 2x12W, 24W BTL (14.4V/4 Ом)
|
TAIWAN
|
|
|
|
|
|
|
TDA1515BQ |
|
УHЧ 2x12W, 24W BTL (14.4V/4 Ом)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
TDA1515BQ |
|
УHЧ 2x12W, 24W BTL (14.4V/4 Ом)
|
PH / NXP
|
4
|
300.12
|
|
|
|
|
TDA1515BQ |
|
УHЧ 2x12W, 24W BTL (14.4V/4 Ом)
|
PH/NXP
|
|
|
|
|
|
|
TDA1515BQ |
|
УHЧ 2x12W, 24W BTL (14.4V/4 Ом)
|
1
|
|
|
|
|
|
|
TDA1515BQ |
|
УHЧ 2x12W, 24W BTL (14.4V/4 Ом)
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
329
|
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 958
|
44.75
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
UTC
|
|
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
ОРБИТА
|
8
|
64.03
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
|
15 836
|
16.53
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
TSL
|
|
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
САРАНСК
|
381
|
35.80
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
MEV
|
|
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
ST1
|
|
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
1
|
|
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
360
|
|
|