IPW60R190E6
|
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | CoolMOS™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 9.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 20.2A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 630µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 63nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1400pF @ 100V |
| Power - Max | 151W |
| Корпус (размер) | TO-247-3 |
| Корпус | PG-TO247-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NVP2010 | NEXTCHIP | 28 | 294.00 | |||||
| NVP2010 |
|
|
||||||
| NVP2010 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 628 |
|
