| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
2N4401BU |
|
NPN 40V 0,6A 0,625W
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
2N4401BU |
|
NPN 40V 0,6A 0,625W
|
|
|
2.08
|
|
|
|
|
2N4401BU |
|
NPN 40V 0,6A 0,625W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
2N4401BU |
|
NPN 40V 0,6A 0,625W
|
FAIRCHILD
|
80
|
|
|
|
|
|
2N4401BU |
|
NPN 40V 0,6A 0,625W
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
2N4401BU |
|
NPN 40V 0,6A 0,625W
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
2N4401BU |
|
NPN 40V 0,6A 0,625W
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
|
2N4401BU |
|
NPN 40V 0,6A 0,625W
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
2N4401BU |
|
NPN 40V 0,6A 0,625W
|
ONS
|
400
|
16.53
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
DC COMPONENTS
|
8 606
|
2.85
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
OTHER
|
582
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
MOTOROLA
|
567
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
|
13 412
|
2.31
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
6
|
6.33
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
290 727
|
1.30
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
75 309
|
1.27
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
52 951
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
3 467
|
1.70
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
5.47
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
1 481 215
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
426
|
1.54
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
217 834
|
1.14
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
220
|
1.28
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
6 369
|
1.03
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
1 881 750
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
743 680
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
160 193
|
1.58
>100 шт. 0.79
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
108 000
|
1.03
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
603
|
1.17
>500 шт. 0.39
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
15 584
|
1.22
>100 шт. 0.61
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 710
|
1.70
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
CJ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEEN SIDE
|
191 772
|
1.08
>500 шт. 0.36
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
2138
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
4334
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ASEMI
|
368 314
|
1.26
>500 шт. 0.42
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
19480
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
22054
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
643
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
1054
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
543
|
|
|
|
|
|
MCP602-I/SN |
|
Операционный усилитель 2xOp-Amp LP, 2,8MHz, 2,3V/us
|
MICRO CHIP
|
772
|
108.33
|
|
|
|
MCP602-I/SN |
|
Операционный усилитель 2xOp-Amp LP, 2,8MHz, 2,3V/us
|
|
196
|
129.50
|
|
|
|
MCP602-I/SN |
|
Операционный усилитель 2xOp-Amp LP, 2,8MHz, 2,3V/us
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
MCP602-I/SN |
|
Операционный усилитель 2xOp-Amp LP, 2,8MHz, 2,3V/us
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
MCP602-I/SN |
|
Операционный усилитель 2xOp-Amp LP, 2,8MHz, 2,3V/us
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
MCP602-I/SN |
|
Операционный усилитель 2xOp-Amp LP, 2,8MHz, 2,3V/us
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
MCP602-I/SN |
|
Операционный усилитель 2xOp-Amp LP, 2,8MHz, 2,3V/us
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
689
|
|
|
|
|
MCP602-I/P |
|
2x Op-Amp LP 2,8MHz 2,3V/us
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
MCP602-I/P |
|
2x Op-Amp LP 2,8MHz 2,3V/us
|
|
|
94.56
|
|
|
|
MCP602-I/P |
|
2x Op-Amp LP 2,8MHz 2,3V/us
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
MCP602-I/P |
|
2x Op-Amp LP 2,8MHz 2,3V/us
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
MCP602-I/P |
|
2x Op-Amp LP 2,8MHz 2,3V/us
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
575
|
|
|