|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
FSC
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
AGILENT TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
HEWLETT PACKARD
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
Lite-On Inc
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
Avago Technologies US Inc
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
Fairchild Optoelectronics Group
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
FAIRCHILD
|
920
|
68.04
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
EVLT
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
EVL
|
11 169
|
21.11
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
ISO
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
LIT
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
EVERLIGHT
|
1 535
|
26.43
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
|
306
|
23.08
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
LITE-ON
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
TOSHIBA
|
266
|
68.04
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
ERL
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
ONS
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
0.00
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
1
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
CT-MICRO
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
EVERLLIGHT
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
NXP
|
1 036
|
2.10
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
400
|
4.91
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
42 188
|
2.17
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
|
93 627
|
1.72
>100 шт. 0.86
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
WTE
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
DIOTEC
|
67 839
|
2.32
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
14 586
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
NXP
|
9 216
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
PHILIPS
|
626
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
DIODES INC.
|
1 126
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
NEXPERIA
|
1 584
|
1.21
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
20 247
|
1.05
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
SEMTECH
|
5
|
2.39
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
YJ
|
333 805
|
2.07
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
YANGJIE
|
108 000
|
1.20
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
YOUTAI
|
6 188
|
1.74
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
JSCJ
|
269 013
|
1.39
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ASEMI
|
31 680
|
1.01
|
|
|
|
CC0805KKX7R8BB105 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 1мкФ, X7R, 10%, 0805, 25В
|
|
32
|
5.92
|
|
|
|
CC0805KKX7R8BB105 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 1мкФ, X7R, 10%, 0805, 25В
|
YAGEO
|
1 233 964
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
CC0805KKX7R8BB105 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 1мкФ, X7R, 10%, 0805, 25В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC0805KKX7R8BB105 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 1мкФ, X7R, 10%, 0805, 25В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC0805KKX7R8BB105 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 1мкФ, X7R, 10%, 0805, 25В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
CC0805KKX7R8BB105 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 1мкФ, X7R, 10%, 0805, 25В
|
СКЛАД
|
|
|
|
|
|
CD4046BNSR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
CD4046BNSR |
|
|
|
4
|
|
|
|
|
CD4046BNSR |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
CD4046BNSR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
742
|
|
|
|
|
IRFR1018EPBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (60V, 56A, 110W, 0.0084R, TO252A)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFR1018EPBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (60V, 56A, 110W, 0.0084R, TO252A)
|
|
|
|
|
|
|
IRFR1018EPBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (60V, 56A, 110W, 0.0084R, TO252A)
|
INFINEON
|
2 400
|
101.25
|
|