SI8401DB-T1-E3
|
| Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
|
SI8401DB-T1-E3 (SILICONIX.) |
1 696 |
3-4 недели
Цена по запросу
|
|
|
SI8401DB-T1-E3 (VISHAY.) |
1 500 |
3-4 недели
Цена по запросу
|
|
MOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP
|
Версия для печати
Технические характеристики SI8401DB-T1-E3
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.6A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
| Power - Max | 1.47W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 4-XFBGA, CSPBGA |
| Корпус | 4-Microfoot |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
