2SA1943+2SC5200

Пара NPN +PNP транзисторов 230В, 15А, 30МГц, 150Вт

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
2SA1943+2SC5200 (TOSHIBA)	1 600	382.28

Пара NPN +PNP транзисторов
Напряжени есток/исток и сток/ база 230В
Ток стока 15А
Частота граничная 30МГц
Мощность 150Вт
Коэффициент передачи 60

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SA1837+2SC4793	Пара PNP+NPN транзисторов 230В, 1А, 70МГц, 20Вт	TOSHIBA	800	289.30
2SA1837+2SC4793	Пара PNP+NPN транзисторов 230В, 1А, 70МГц, 20Вт
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		3 164	16.00
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS	476	14.46
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	32	4.28
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	8 338	20.34
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	NXP
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	RUME	1 398	3.92
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	TRR	5 600	4.02
CC1206ZRY5V9BB104	Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ Y5V (+80-20%) 1206	YAGEO	905	3.64
CC1206ZRY5V9BB104	Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ Y5V (+80-20%) 1206	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
CC1206ZRY5V9BB104	Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ Y5V (+80-20%) 1206	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
CC1206ZRY5V9BB104	Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ Y5V (+80-20%) 1206
КВ 109 Г	Варикапы кремниевые, эпитаксиально-планарные, подстроечные, для схем подстройки ...	RUS
КР140УД23		КИЕВ
КР140УД23			80	61.68
КР140УД23		КВАЗАР
КР140УД23		RUS