|
Версия для печати
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
MJE13001 |
|
Транзистор структуры NPN, 600В, | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
MJE13001 |
|
Транзистор структуры NPN, 600В, | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|
|
|
|
MJE13001 |
|
Транзистор структуры NPN, 600В, |
|
16.80 | ||
|
|
|
MJE13001 |
|
Транзистор структуры NPN, 600В, | UTC |
|
|
|
|
|
|
MJE13001 |
|
Транзистор структуры NPN, 600В, | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
MJE13001 |
|
Транзистор структуры NPN, 600В, | FAIR |
|
|
|
|
|
|
MJE13001 |
|
Транзистор структуры NPN, 600В, | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
MJE13001 |
|
Транзистор структуры NPN, 600В, | FAIRCHILD |
|
|
|
|
|
|
MJE13001 |
|
Транзистор структуры NPN, 600В, | FSC |
|
|
|
|
|
|
MJE13001 |
|
Транзистор структуры NPN, 600В, | ONS |
|
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
1N4007 (1A 1000V) |
|
|
|
|||
|
|
|
ГД507А |
|
Диод импульсный для монтажа в отв. платы, Uоб/Uимп - 20/30В, Iпр/I обр 16мА/100мкА |
|
4.80 | ||
|
|
|
ГД507А |
|
Диод импульсный для монтажа в отв. платы, Uоб/Uимп - 20/30В, Iпр/I обр 16мА/100мкА | ЭЛЕКС |
|
|
|
| К155ЛА1 | 872 | 37.80 | ||||||
| К155ЛА1 | ЗПП |
|
|
|||||
| К155ЛА1 | ЗПП МИНСК |
|
|
|||||
| К155ЛА1 | МИНСК |
|
|
|||||
| К155ЛА1 | МИКРОН |
|
|
|||||
|
|
|
КТ529А |
|
Транзисторы P-N-P с малым напряжением насыщения |
|
14.00 | ||
|
|
|
КТ529А |
|
Транзисторы P-N-P с малым напряжением насыщения | АЛЕКСАНДРОВ |
|
|
|
|
|
|
КТ529А |
|
Транзисторы P-N-P с малым напряжением насыщения | КРЕМНИЙ | 800 | 15.12 | |
|
|
|
КТ529А |
|
Транзисторы P-N-P с малым напряжением насыщения | БРЯНСК | 560 | 18.90 | |
|
|
ФТ-1К |
|
100.00 | |||||
|
|
ФТ-1К | КВАРЦ |
|
|
||||
|
|
ФТ-1К | 1 |
|
|