![]() |
|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540 mOhm @ 600mA, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 8.3nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 180pF @ 25V |
Power - Max | 1.3W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Корпус | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
IRFD110PBF (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2Д103А1/СО | ОРБИТА |
![]() |
![]() |
|||||
2Д103А1/СО | САРАНСК |
![]() |
![]() |
|||||
2Д103А1/СО |
![]() |
![]() |
||||||
![]() |
![]() |
CF18JT20M0 |
![]() |
Stackpole Electronics Inc |
![]() |
![]() |
||
![]() |
![]() |
CM322522-470KL |
![]() |
ЧИП индуктивность 47мкГн, 1210, 7Ом, 10%, 15МГц | BOURNS | 11 342 | 16.92 | |
![]() |
![]() |
CM322522-470KL |
![]() |
ЧИП индуктивность 47мкГн, 1210, 7Ом, 10%, 15МГц |
![]() |
![]() |
||
MCC-Y5V-50-1 |
![]() |
Керамический конденсатор 1 мкФ 50 В | HITANO |
![]() |
![]() |
|||
MCC-Y5V-50-1 |
![]() |
Керамический конденсатор 1 мкФ 50 В |
![]() |
10.80 | ||||
К10-17Б-62 М1500 5% |
![]() |
Керамический конденсатор 62 пФ 50 В |
![]() |
21.92 |
|
Корзина
|