IRFD110PBF

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFD110PBF (VISHAY)	7	70.28

Версия для печати

Технические характеристики IRFD110PBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	540 mOhm @ 600mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	8.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	180pF @ 25V
Power - Max	1.3W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	4-DIP (0.300", 7.62mm)
Корпус	4-DIP, Hexdip, HVMDIP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFD110PBF (MOSFET)

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFD110PBF datasheet
1.8 Мб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2Д103А1/СО		ОРБИТА
2Д103А1/СО		САРАНСК
2Д103А1/СО
CF18JT20M0		Stackpole Electronics Inc
CM322522-470KL	ЧИП индуктивность 47мкГн, 1210, 7Ом, 10%, 15МГц	BOURNS	11 276	16.92
CM322522-470KL	ЧИП индуктивность 47мкГн, 1210, 7Ом, 10%, 15МГц
MCC-Y5V-50-1	Керамический конденсатор 1 мкФ 50 В	HITANO
MCC-Y5V-50-1	Керамический конденсатор 1 мкФ 50 В			10.80
К10-17Б-62 М1500 5%	Керамический конденсатор 62 пФ 50 В			21.92