BSS110
|
MOSFET P-CH 50V 170MA TO92 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 Ohm @ 170mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 170mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 40pF @ 25V |
| Power - Max | 630mW |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Корпус | TO-92-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1Т813Б | 10 | 351.50 | ||||||
| 1Т813Б | БРЯНСК |
|
|
|||||
 |
2N6609 |
|
ON Semiconductor |
|
|
|||
|
|
2N6609 |
|
|
519.20 | ||||
 |
КП103Л1Р |
|
9.60 | |||||
|
|
КП103Л1Р | ВИННИЦА |
|
|
||||
| КП103М1 ПЛ. 88-89 ГГ |
|
|
||||||
| МП21Е | 66 | 113.40 | ||||||
| МП21Е | ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ |
|
|
