| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
EPM7160STI100-10 |
|
Плис семейства MAX7000, 3200 вентилей, 160 макроячеек, 84 линий ввода/вывода, ...
|
ALTERA
|
|
|
|
|
|
|
EPM7160STI100-10 |
|
Плис семейства MAX7000, 3200 вентилей, 160 макроячеек, 84 линий ввода/вывода, ...
|
|
|
1 559.88
|
|
|
|
|
EPM7160STI100-10 |
|
Плис семейства MAX7000, 3200 вентилей, 160 макроячеек, 84 линий ввода/вывода, ...
|
MAX
|
|
|
|
|
|
|
EPM7160STI100-10 |
|
Плис семейства MAX7000, 3200 вентилей, 160 макроячеек, 84 линий ввода/вывода, ...
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
|
EPM7160STI100-10 |
|
Плис семейства MAX7000, 3200 вентилей, 160 макроячеек, 84 линий ввода/вывода, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
551
|
|
|
 |
 |
IR2104S |
|
Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
80
|
160.06
|
|
|
|
|
IR2104S |
|
Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс
|
|
4
|
160.02
|
|
|
|
|
IR2104S |
|
Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
|
IR2104S |
|
Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IR2104S |
|
Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс
|
FULIHAO TECH
|
1 200
|
94.02
|
|
|
|
|
IR2104S |
|
Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс
|
FULIHAO
|
|
|
|
|
|
|
IR2104S |
|
Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
269
|
|
|
|
|
|
STGP19NC60HD |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 19 а
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGP19NC60HD |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 19 а
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGP19NC60HD |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 19 а
|
|
424
|
227.35
|
|
|
|
|
STGP19NC60HD |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 19 а
|
|
424
|
227.35
|
|
|
|
|
Д232 |
|
Диоды кремниевые, диффузионные? для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
|
119
|
69.92
|
|
|
|
|
Д232 |
|
Диоды кремниевые, диффузионные? для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
|
Д232 |
|
Диоды кремниевые, диффузионные? для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
Д232 |
|
Диоды кремниевые, диффузионные? для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
СЗТП
|
8
|
199.10
|
|
|
|
|
Д232 |
|
Диоды кремниевые, диффузионные? для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
|
КТ815В |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А
|
|
1 200
|
34.04
|
|
|
|
|
КТ815В |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А
|
КРЕМНИЙ
|
1 112
|
32.79
|
|
|
|
|
КТ815В |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А
|
БРЯНСК
|
5 399
|
44.10
|
|
|
|
|
КТ815В |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ815В |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ815В |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ815В |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А
|
1749
|
|
|
|
|
|
|
КТ815В |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А
|
5000
|
|
|
|
Версия для печати
