SI7772DP-T1-GE3

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SI7772DP-T1-GE3 (SILICONIX.)	67	3-4 недели Цена по запросу

MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC

Версия для печати

Технические характеристики SI7772DP-T1-GE3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	SkyFET®, TrenchFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13 mOhm @ 15A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	35.6A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	28nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1084pF @ 15V
Power - Max	29.8W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	PowerPAK® SO-8
Корпус	PowerPAK® SO-8

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.