Версия для печати
Технические характеристики ATTINY2313A-MU

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	AVR® ATtiny
Процессор	AVR
Размер ядра	8-Bit
Скорость	20MHz
Подключения	I²C, SPI, UART/USART
Периферия	Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT
Число вводов/выводов	18
Размер программируемой памяти	2KB (1K x 16)
Тип программируемой памяти	FLASH
EEPROM Size	128 x 8
Размер памяти	128 x 8
Напряжение источника (Vcc/Vdd)	1.8 V ~ 5.5 V
Тип осцилятора	Internal
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Корпус (размер)	20-WFQFN Exposed Pad

ATTINY2313A-MU datasheet

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Микроконтроллеры

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		ATTINY2313-20SU		8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...	ATMEL	1 596	315.00
		ATTINY2313-20SU		8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...		668	242.16
		ATTINY2313-20SU		8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...	ATMEL CORPORATION
		ATTINY2313-20SU		8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...	США
		ATTINY2313-20SU		8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		ATTINY2313-20SU		8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...	MICRO CHIP	656	568.26
		ATTINY2313-20SU		8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...	MICRO CHIP
		ATTINY2313-20SU		8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...	4-7 НЕДЕЛЬ	384
		КД205Б			СЗТП	8	83.16
		КД205Б				503	45.36
		КД205Б			ЗОНД
		КД205Б			ИЗОТОП
		КД205Б			ИРКУТСК
		КД205Б			УДАЛЕНО
		КД205Б			ИЖЕВСК
		КД205Б			ИЗОТОН
		КД205Б			САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
		КД212А		Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс		885	236.93
		КД212А		Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс	ФОТОН	3 576	21.00
		КД212А		Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс	САРАНСК
		КД212А		Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс	RUS
		КД212А		Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
		КД212А		Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс	ELNEC
		КД212А		Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс	СЗТП
		КД212А		Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс	РОССИЯ
		КТ815Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		338	33.12
		КТ815Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ	532	28.35
		КТ815Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	БРЯНСК	2 271	37.80
		КТ815Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
		КТ815Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ	6	42.36
		КТ815Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	RUS
		КТ815Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР
		КТ816Г		Транзистор среднечастотный структуры PNP		672	30.18
		КТ816Г		Транзистор среднечастотный структуры PNP	КРЕМНИЙ	5 610	33.90
		КТ816Г		Транзистор среднечастотный структуры PNP	ТРАНЗИСТОР
		КТ816Г		Транзистор среднечастотный структуры PNP	БРЯНСК	10 233	37.80
		КТ816Г		Транзистор среднечастотный структуры PNP	МИНСК
		КТ816Г		Транзистор среднечастотный структуры PNP	RUS
		КТ816Г		Транзистор среднечастотный структуры PNP	ИНТЕГРАЛ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"