Версия для печати
Технические характеристики ATTINY2313A-MU

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	AVR® ATtiny
Процессор	AVR
Размер ядра	8-Bit
Скорость	20MHz
Подключения	I²C, SPI, UART/USART
Периферия	Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT
Число вводов/выводов	18
Размер программируемой памяти	2KB (1K x 16)
Тип программируемой памяти	FLASH
EEPROM Size	128 x 8
Размер памяти	128 x 8
Напряжение источника (Vcc/Vdd)	1.8 V ~ 5.5 V
Тип осцилятора	Internal
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Корпус (размер)	20-WFQFN Exposed Pad

ATTINY2313A-MU datasheet

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Микроконтроллеры

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		ATTINY2313-20SU		8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...	ATMEL	1 596	315.00
		ATTINY2313-20SU		8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...		652	242.16
		ATTINY2313-20SU		8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...	ATMEL CORPORATION
		ATTINY2313-20SU		8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...	США
		ATTINY2313-20SU		8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		ATTINY2313-20SU		8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...	MICRO CHIP	656	619.92
		ATTINY2313-20SU		8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...	MICRO CHIP
		ATTINY2313-20SU		8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...	4-7 НЕДЕЛЬ	384
		SA04-11EWA		10.16мм 7-сегментный индикатор, красный ОА, 8мКд	KB
		SA04-11EWA		10.16мм 7-сегментный индикатор, красный ОА, 8мКд	KINGBRIGHT	1	125.08
		SA04-11EWA		10.16мм 7-сегментный индикатор, красный ОА, 8мКд		3	336.42
		SA04-11EWA		10.16мм 7-сегментный индикатор, красный ОА, 8мКд	Kingbright Corp
		SA04-11EWA		10.16мм 7-сегментный индикатор, красный ОА, 8мКд	KGB	308	89.39
		КД226Д		Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс		2 267	11.04
		КД226Д		Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	ТОМИЛИНО
		КД226Д		Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
		КД226Д		Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	RUS
		КД226Д		Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	СЗТП	1 264	42.36
		КД226Д		Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	РОССИЯ
		КД226Д		Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
		КД2997В		Кремниевый диод большой мощности 50В, 100А, 100 кГц, 0,2мкс		10	147.42
		КД2997В		Кремниевый диод большой мощности 50В, 100А, 100 кГц, 0,2мкс	ФОТОН
		КД2997В		Кремниевый диод большой мощности 50В, 100А, 100 кГц, 0,2мкс	СЗТП	9	283.50
		КД2997В		Кремниевый диод большой мощности 50В, 100А, 100 кГц, 0,2мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт		371	28.34
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	КРЕМНИЙ	820	28.35
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	БРЯНСК	1 590	37.80
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	МИНСК
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	УЛЬЯНОВСК
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	RUS
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	ИНТЕГРАЛ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"