Версия для печати
Технические характеристики DHR-26F

Серия	DHR
Функциональное назначение	розетка
Форма контактов	угловые
Способ монтажа	пайка на плату
Количество рядов	3(высокой плотности)
Количество контактов	26
Материал корпуса	сталь.покрытая цинком или оловом
Материал изолятора	полистирол усиленный стекловолокном
Сопротивление изолятора не менее,МОм	1000
Материал контактов	фосфористая бронза
Покрытие контактов	олово
Сопртивление контактов не более,Ом	0.1
Предельный ток,А	5
Предельное напряжение не менее,В	1000 В перем.тока в течение 1 мин.
Рабочая температура,°С	-55…105

КАТАЛОГ

 » 

КОММУТАЦИЯ

 » 

РАЗЪЕМЫ

 » 

РАЗЪЕМЫ ПРЯМОУГОЛЬНЫЕ

 » 

РАЗЪЕМЫ D-SUB

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		DHR-26M			BM
		DHR-26M				70	129.50
		DHR-26M			AUK
		DHR-26M			ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		DHR-26M			ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		DHR-26M			NXU	1	113.65
		DHR-26M			CONNFLY
		DHR-26M			КИТАЙ	26	57.00
		DHR-26M			NLT
		KM-23EC-F			KB
		KM-23EC-F					11.20
		KM-23EC-F			KINGBRIGHT	184	22.48
		KM-23EC-F			BM
		KM-23EC-F			ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		KM-23EC-F			ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		KM-23EC-F			KGB	2 139	4.69
		PBD-8R			BM
		PBD-8R			CONNFLY
		PBD-8R			NXU
		PBD-8R			CHINA
		PBD-8R			KLS	52	3.99
		PBD-8R			90
		SMBJ9.0CA		Защитный диод 9 В 600Вт SMD	FAIR
		SMBJ9.0CA		Защитный диод 9 В 600Вт SMD	FAIRCHILD
		SMBJ9.0CA		Защитный диод 9 В 600Вт SMD	FAIRCHILD
		SMBJ9.0CA		Защитный диод 9 В 600Вт SMD	DC COMPONENTS
		SMBJ9.0CA		Защитный диод 9 В 600Вт SMD	Littelfuse Inc
		SMBJ9.0CA		Защитный диод 9 В 600Вт SMD	Bourns Inc
		SMBJ9.0CA		Защитный диод 9 В 600Вт SMD	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SMBJ9.0CA		Защитный диод 9 В 600Вт SMD		960	2.67
		SMBJ9.0CA		Защитный диод 9 В 600Вт SMD	LTL
		SMBJ9.0CA		Защитный диод 9 В 600Вт SMD	AVX
		SMBJ9.0CA		Защитный диод 9 В 600Вт SMD	LITTELFUSE
		SMBJ9.0CA		Защитный диод 9 В 600Вт SMD	KEISUM
		SMBJ9.0CA		Защитный диод 9 В 600Вт SMD	MULTICOMP
		SMBJ9.0CA		Защитный диод 9 В 600Вт SMD	KEEN SIDE	4 072	2.32
		ULN2003ADR		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...		16 176	10.61
		ULN2003ADR		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...	TEXAS INSTRUMENTS	9 002	15.50
		ULN2003ADR		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...	TEXAS INSTRUMENTS
		ULN2003ADR		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...	TEXAS INSTR
		ULN2003ADR		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...	TEXAS
		ULN2003ADR		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...	TEXAS INSTRUMEN
		ULN2003ADR		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...	TEXASINSTRUMENTS
		ULN2003ADR		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...	4-7 НЕДЕЛЬ	128
		ULN2003ADR		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...	1013
		ULN2003ADR		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...	264

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"