ЗАЖИМ 15EDGRM-3,5-08P-14

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1Д507А	Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ		131	4.42
1Д507А	Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ	АЛЕКСАНДРОВ	1 840	4.20
1Д507А	Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ	RUS
1Д507А	Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ	ЭЛЕКС	968	11.34
К155ЛА3	четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г		2 753	22.68
К155ЛА3	четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г	ДНЕПР
К155ЛА3	четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г	МИКРОН
К155ЛА3	четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г	МИНСК
К155ЛА3	четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г	ХЕРСОН
К155ЛА3	четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г	ИНТЕГРАЛ
К155ЛА3	четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г	RUS
К155ЛА3	четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г	АЗОН
КР1157ЕН5А	5B. 100мА		40	18.50
КР1157ЕН5А	5B. 100мА	КРЕМНИЙ	800	30.24
КР1157ЕН5А	5B. 100мА	БРЯНСК	224	16.80
КР1157ЕН5А	5B. 100мА	НАЛЬЧИК
КТ315И ЖЕЛТ.
КТ315И ЖЕЛТ.		КВАРЦИТ	70 264	2.10
КТ315И ЖЕЛТ.		НАЛЬЧИК	23 576	2.10
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		340	33.12
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ	532	26.46
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	БРЯНСК	2 303	37.80
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ	6	42.36
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	RUS
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР