MBR3060PT


Диод Шоттки 60V 30A(2x15)

Купить MBR3060PT по цене 161.64 руб.  (без НДС 20%)
MBR3060PT Сдвоенный, с общим катодом, диод шотки...
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
MBR3060PT цена радиодетали 161.64 

Сдвоенный, с общим катодом, диод шотки
  • Защита от перенапряжения
  • Малая потеря мощности, высокая эффективность
  • Малое падение прямого напряжения
  • Работа на высоких частотах
  • Выдерживает пайку при температуре 260°C в течение 40 сек.
  • Бессвинцовая технология
Версия для печати

Технические характеристики MBR3060PT

Current - Reverse Leakage @ Vr5mA @ 60V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If750mV @ 20A
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)30A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)60V
Diode TypeSchottky
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration1 Pair Common Cathode
Тип монтажаThrough Hole, Radial
Корпус (размер)TO-3P-3, TO-247-3
КорпусTO-247AD
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

MBR30xxPT

Dual Schottky Rectifiers

Также в этом файле: MBR3060PT

Производитель:
Vishay
//www.vishay.com

MBR3060PT datasheet
0b

Синонимы от поставщиков: MBR3060PT ; MBR-3060PT ; MBR 3060PT ; MBR — 3060PT ; MBR3060PT ; диод MBR3060PT ;

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
16K1 F 100K Резистор углеродистый 0,125Вт, 100кОм     725 15.12 
16K1 F 100K Резистор углеродистый 0,125Вт, 100кОм   RUICHI Заказ радиодеталей цена радиодетали
  16K1 F 200K       Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)     16 45.36 
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ST MICROELECTRONICS 121 16.80 
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ST MICROELECTRONICS SEMI Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   STMICROELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ST MICROELECTR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ИНДИЯ Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   PILIPINES Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ST1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ST MICROELECTRO Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   STMICROELECTR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   CHANGJIANG Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   KLS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   HOTTECH 825 10.77 
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   CHINA Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   JSCJ 7 252 6.06 
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ИМОРТ Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   NXP 560 3.58 
NE555P Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...   NEC Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555P Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...   TEXAS INSTRUMENTS 21 466 14.46 
NE555P Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...     5 996 9.97 
NE555P Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...   TEXAS INSTRUMENTS Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555P Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...   TEXAS INSTR Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555P Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...   TEXAS Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555P Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...   TEXAS INSTRUMEN Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555P Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...   TEXASINSTRUMENTS Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555P Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...   4-7 НЕДЕЛЬ 755 цена радиодетали
STP55NF06 Полевой транзистор   ST MICROELECTRONICS 3 420 49.62 
STP55NF06 Полевой транзистор     600 45.89 
STP55NF06 Полевой транзистор   ST MICROELECTRONICS SEMI 1 цена радиодетали
STP55NF06 Полевой транзистор   STMicroelectronics Заказ радиодеталей цена радиодетали
STP55NF06 Полевой транзистор   ФИЛИППИНЫ Заказ радиодеталей цена радиодетали
STP55NF06 Полевой транзистор   ST MICROELECTRO Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход