|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
|
18
|
16.23
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
11 676
|
21.63
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ИНДИЯ
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
PILIPINES
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST1
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
CHANGJIANG
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
960
|
10.11
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
JSCJ
|
14 229
|
8.07
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ИМОРТ
|
|
|
|
|
|
BD140-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=80V, Ic=1.5A, P=12.5W, ...
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BD140-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=80V, Ic=1.5A, P=12.5W, ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
5 630
|
33.47
|
|
|
|
BD140-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=80V, Ic=1.5A, P=12.5W, ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BD140-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=80V, Ic=1.5A, P=12.5W, ...
|
|
|
22.56
|
|
|
|
BD140-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=80V, Ic=1.5A, P=12.5W, ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
BD140-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=80V, Ic=1.5A, P=12.5W, ...
|
ИНДИЯ
|
|
|
|
|
|
BD140-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=80V, Ic=1.5A, P=12.5W, ...
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BD140-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=80V, Ic=1.5A, P=12.5W, ...
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BD140-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=80V, Ic=1.5A, P=12.5W, ...
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
BD140-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=80V, Ic=1.5A, P=12.5W, ...
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BD140-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=80V, Ic=1.5A, P=12.5W, ...
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BD140-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=80V, Ic=1.5A, P=12.5W, ...
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
BD140-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=80V, Ic=1.5A, P=12.5W, ...
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
BD140-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=80V, Ic=1.5A, P=12.5W, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
BD140-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=80V, Ic=1.5A, P=12.5W, ...
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BD140-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=80V, Ic=1.5A, P=12.5W, ...
|
JSMSEMI
|
1 300
|
5.13
|
|
|
|
NE555P |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE555P |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
15 204
|
13.43
|
|
|
|
NE555P |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
|
6 851
|
9.97
|
|
|
|
NE555P |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NE555P |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
NE555P |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS
|
7 886
|
25.19
|
|
|
|
NE555P |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
NE555P |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NE555P |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
755
|
|
|
|
|
STP55NF06 |
|
Полевой транзистор
|
ST MICROELECTRONICS
|
3 516
|
47.06
|
|
|
|
STP55NF06 |
|
Полевой транзистор
|
|
660
|
45.89
|
|
|
|
STP55NF06 |
|
Полевой транзистор
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
1
|
|
|
|
|
STP55NF06 |
|
Полевой транзистор
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STP55NF06 |
|
Полевой транзистор
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
STP55NF06 |
|
Полевой транзистор
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
STPS40L40CT |
|
Диод Шоттки 45V 2x20A
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STPS40L40CT |
|
Диод Шоттки 45V 2x20A
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STPS40L40CT |
|
Диод Шоттки 45V 2x20A
|
|
|
|
|