Версия для печати
Технические характеристики B32652A6473J

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	MKP B32652
Емкость	0.047µF
Voltage - AC	250V
Voltage - DC	630V
Dielectric Material	Polypropylene, Metallized
Допустимые отклонения емкости	±5%
Tolerance	±5%
Рабочая температура	-55°C ~ 110°C
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	Radial
Size / Dimension	0.709" L x 0.197" W (18.00mm x 5.00mm)
Высота	0.413" (10.50mm)
Termination	PC Pins
Lead Spacing	0.591" (15.00mm)
Возможности	AC and Pulse

Пленочный конденсатор радиальный 1.5мкФ, 630В DC, 250В AC, 5% B32652A6473J datasheet 614,87kB 39стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

 » 

Пленочные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SA1837+2SC4793		Пара PNP+NPN транзисторов 230В, 1А, 70МГц, 20Вт	TOSHIBA	1 120	268.63
		2SA1837+2SC4793		Пара PNP+NPN транзисторов 230В, 1А, 70МГц, 20Вт
		2SC5200+2SA1943/O ПАРА		Мощные транзисторы NPN (230V, 15А, TO-3)	TOS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		18	16.23
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS	11 644	21.63
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	1 046	10.19
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	9 168	7.84
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
		GA-63-470		Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 63 В	TREC
		GA-63-470		Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 63 В			48.04
		GA-63-470		Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 63 В	КИТАЙ
		RPER71H471K2K1A03B			Murata Electronics North America
		RPER71H471K2K1A03B			MUR
		RPER71H471K2K1A03B

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"