Версия для печати
Технические характеристики LM1875

Корпус (размер)	TO-220-5 Formed Leads
Корпус	TO-220-5
Тип монтажа	Выводной
Возможности	Short-Circuit and Thermal Protection
Напряжение питания	16 V ~ 60 V, ±8 V ~ 30 V
Макс. выходная мощность х Каналы @ Нагрузка	30W x 1 @ 8 Ohm
Тип выхода	1-Channel (Mono)
Тип	Class AB
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Обработка сигналов

 » 

Усилители

 » 

Аудиоусилители

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N5551-Y			FAIR
		2N5551-Y					8.00
		2N5551-Y			FSC
		2N5551-Y			FAIRCHILD
		2N5551-Y			КИТАЙ
		2N5551-Y			ON SEMI/FAIRCH
		2N5551-Y			ONSEMICONDUCTOR
		2N5551-Y			ONS
		2N5551-Y			ONS-FAIR
		2N5551-Y			LGE
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	NXP
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	FAIR
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	ST MICROELECTRONICS
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	FAIRCHILD
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	UNKNOWN
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	FAIRCHILD
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	NXP	128
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	STMICROELECTRONICS
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	Fairchild Semiconductor
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	INCHANGE SEMIC
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	ST MICROELECTR
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	ST1
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	FSC
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	ISC	590	88.50
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS			45.48
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	PHILIPS
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	FSC1
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	ST MICROELECTRO
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	ONS
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	ONS-FAIR
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	1
		STK402-370			SANYO
		STK402-370
		STK402-370			SAN
		STK402-370			4-7 НЕДЕЛЬ	548
		TIP147T		Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А	FAIR
		TIP147T		Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А	FAIRCHILD
		TIP147T		Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А		1	216.72
		TIP147T		Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А	FAIRCHILD
		TIP147T		Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А	Fairchild Semiconductor
		TIP147T		Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А	STMicroelectronics
		TIP147T		Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А	ST MICROELECTRONICS	168	134.32
		TIP147T		Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А	STMICROELECTR
		TIP147T		Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А	ONS-FAIR
		TIP147T		Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А	ONS	222	69.70
		TIP147T		Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А	1
		МБГО-2 160 В 4 МКФ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"