![]() |
|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Mode | Discontinuous (Transition) |
Частота переключения | 200kHz |
Current - Startup | 75µA |
Напряжение питания | 12 V ~ 18 V |
Рабочая температура | -40°C ~ 105°C |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Корпус | 8-SOIC |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ADG509FBRN | ANALOG DEVICES |
![]() |
![]() |
|||||
ADG509FBRN | Analog Devices Inc |
![]() |
![]() |
|||||
ADG509FBRN |
![]() |
![]() |
||||||
ADG509FBRN |
![]() |
![]() |
||||||
ADG509FBRN | 4-7 НЕДЕЛЬ | 209 |
![]() |
|||||
BZW50-39B | ST MICROELECTRONICS |
![]() |
![]() |
|||||
BZW50-39B | ST MICROELECTRONICS SEMI |
![]() |
![]() |
|||||
BZW50-39B | STMicroelectronics |
![]() |
![]() |
|||||
BZW50-39B |
![]() |
564.68 | ||||||
![]() |
LMV331M7 | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
LMV331M7 | NSC |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
LMV331M7 |
![]() |
61.28 | |||||
![]() |
LMV331M7 | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
LMV331M7 | СОЕДИНЕННЫЕ ШТА |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
LMV331M7 | TEXAS |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
LMV331M7 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 293 |
![]() |
||||
![]() |
![]() |
TLE2072ACD |
![]() |
Texas Instruments |
![]() |
![]() |
||
![]() |
![]() |
TLE2072ACD |
![]() |
![]() |
646.64 | |||
![]() |
![]() |
TLE2072ACD |
![]() |
4-7 НЕДЕЛЬ | 353 |
![]() |
||
![]() |
![]() |
W25X40BVSSIG |
![]() |
Энергонезависимая память Flash , SPI, 2.5..5.5В? 4kбит, 512x8, 104VГц | Winbond Electronics |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
W25X40BVSSIG |
![]() |
Энергонезависимая память Flash , SPI, 2.5..5.5В? 4kбит, 512x8, 104VГц | WINBOND | 133 |
![]() |
|
![]() |
![]() |
W25X40BVSSIG |
![]() |
Энергонезависимая память Flash , SPI, 2.5..5.5В? 4kбит, 512x8, 104VГц |
![]() |
![]() |
||
![]() |
![]() |
W25X40BVSSIG |
![]() |
Энергонезависимая память Flash , SPI, 2.5..5.5В? 4kбит, 512x8, 104VГц | 4-7 НЕДЕЛЬ | 693 |
![]() |
|
Корзина
|