Версия для печати
Технические характеристики IRFB20N50KPBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	250 mOhm @ 12A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	20A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	110nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2870pF @ 25V
Power - Max	280W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

IRFB20N50KPBF (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET Производитель: Vishay IRFB20N50KPBF datasheet 192.9 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		FGH60N60SMD			Fairchild Semiconductor
		FGH60N60SMD			FSC
		FGH60N60SMD				460	272.59
		FGH60N60SMD			FAIR
		FGH60N60SMD			FAIRCHILD
		FGH60N60SMD			ONS	48	527.10
		FGH60N60SMD			ONS-FAIR
		FGH60N60SMD			ON SEMICONDUCTOR	7	298.33
		FGH60N60SMD			ONSEMI	2	454.09
		FGH60N60SMD			3
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	DIODES
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	MCC
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления		380	11.34
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	WTE
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	GALAXY
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	MIC	29 074	1.59
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	КИТАЙ
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	TAIWAN SEMICONDUCTOR
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	GALAXY ME
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	KINGTRONICS
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	SUNTAN	1 075	2.33
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	KLS
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	WUXI XUYANG
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	HOTTECH
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	YANGJIE
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	YANGJIE (YJ)
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	YJ
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	CTK	164	4.35
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	YIXING
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	KOME	3 528	2.22
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	KEEN SIDE
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	RUME	8 000	1.26
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	2694
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	2692
		IR4427PBF		Драйвер нижнего ключа x2. Uвых=6-20В, Iвых=1.5А/1.5А, t(on/off)= 85/65мкс	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IR4427PBF		Драйвер нижнего ключа x2. Uвых=6-20В, Iвых=1.5А/1.5А, t(on/off)= 85/65мкс	INFINEON
		IR4427PBF		Драйвер нижнего ключа x2. Uвых=6-20В, Iвых=1.5А/1.5А, t(on/off)= 85/65мкс
		IRF3205		Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF3205		Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...		8	74.00
		IRF3205		Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...	ФИЛИППИНЫ
		IRF3205		Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...	INFINEON
		IRF3205		Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...	1
		IRF3205		Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...	YOUTAI
		IRF3205		Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...	JSMICRO	1 122	30.16
		IRFZ44NPBF		N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, Rds=17.5 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFZ44NPBF		N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, Rds=17.5 ...		6 040	15.78
		IRFZ44NPBF		N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, Rds=17.5 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	8 666
		IRFZ44NPBF		N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, Rds=17.5 ...	INFINEON	9 763	21.70
		IRFZ44NPBF		N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, Rds=17.5 ...	INFINEON
		IRFZ44NPBF		N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, Rds=17.5 ...	INFINEON / IR
		IRFZ44NPBF		N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, Rds=17.5 ...	RUME	6 440	17.14
		IRFZ44NPBF		N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, Rds=17.5 ...	89

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"