SI4874BDY-T1-E3


Купить SI4874BDY-T1-E3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SI4874BDY-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
Версия для печати

Технические характеристики SI4874BDY-T1-E3

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияTrenchFET®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs7 mOhm @ 16A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C12A
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs25nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds3230pF @ 15V
Power - Max1.6W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SOICN
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


SI4874BDY-T1-E3 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход