IRL3705ZS
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 52A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 75A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 60nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2880pF @ 25V |
| Power - Max | 130W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRL3705ZS (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ADG774BRZ SOIC-16-3.9 |
|
Коммутатор аналоговых сигналов - [SOIC-16-3.9]: Nкан: 4: Npole: 1: Nthrow: 2: Тип: ... |
|
|
|||
 |
|
RD16HHF1 |
|
Транзистор полевой, Po=16W (Pin=0.4W/30MHz, Vcc=12.5V) | MITSUBISHI |
|
|
|
|
|
|
RD16HHF1 |
|
Транзистор полевой, Po=16W (Pin=0.4W/30MHz, Vcc=12.5V) | MIT |
|
|
|
|
|
|
RD16HHF1 |
|
Транзистор полевой, Po=16W (Pin=0.4W/30MHz, Vcc=12.5V) |
|
331.04 | ||
|
|
|
RD16HHF1 |
|
Транзистор полевой, Po=16W (Pin=0.4W/30MHz, Vcc=12.5V) | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
|
| К155ЛА18 | 1 078 | 41.38 | ||||||
| К155ЛА18 | ПЛАНЕТА | 6 674 | 8.48 | |||||
| К155ЛА18 | RUS |
|
|
|||||
| К155ЛА18 | 306 |
|
|
|||||
| К155ЛА18 | 65 |
|
|
|||||
| К155ЛА18 | 8231 |
|
|
|||||
| КР531АП2 | 12 | 37.80 | ||||||
| КР531АП2 | ФРЯЗИНО |
|
|
|||||
| КР531ТВ9 |
|
|
||||||
| КР531ТВ9 | ФРЯЗИНО | 227 | 16.96 | |||||
| КР531ТВ9 |
|
|
||||||
| КР531ТВ9 | 188 |
|
|
