|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SC945 |
|
Биполярный транзистор NPN 60V, 0.1A, 0.25W, 250MHz
|
|
6 405
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
2SC945 |
|
Биполярный транзистор NPN 60V, 0.1A, 0.25W, 250MHz
|
NEC
|
|
|
|
|
|
2SC945 |
|
Биполярный транзистор NPN 60V, 0.1A, 0.25W, 250MHz
|
DC COMPONENTS
|
1 064
|
3.06
|
|
|
|
2SC945 |
|
Биполярный транзистор NPN 60V, 0.1A, 0.25W, 250MHz
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
74HC00D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
74HC00D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
74HC00D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ
|
NXP
|
4 275
|
16.80
|
|
|
|
74HC00D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ
|
|
|
24.00
|
|
|
|
74HC00D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ
|
NXP
|
160
|
|
|
|
|
74HC00D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ
|
PHILIPS
|
35
|
|
|
|
|
74HC00D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
74HC00D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
74HC00D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
74HC00D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
74HC00D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ
|
HTC TAEJIN
|
|
|
|
|
|
74HC00D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ
|
HTC
|
804
|
23.72
|
|
|
|
74HC00D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
331
|
|
|
|
|
74HC14D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Триггер Шмидта инвертирующий х 6
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
74HC14D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Триггер Шмидта инвертирующий х 6
|
NXP
|
|
|
|
|
|
74HC14D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Триггер Шмидта инвертирующий х 6
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
74HC14D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Триггер Шмидта инвертирующий х 6
|
|
81
|
20.35
|
|
|
|
74HC14D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Триггер Шмидта инвертирующий х 6
|
UTC
|
|
|
|
|
|
74HC14D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Триггер Шмидта инвертирующий х 6
|
NXP
|
|
|
|
|
|
74HC14D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Триггер Шмидта инвертирующий х 6
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
74HC14D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Триггер Шмидта инвертирующий х 6
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
74HC14D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Триггер Шмидта инвертирующий х 6
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
74HC14D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Триггер Шмидта инвертирующий х 6
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
74HC14D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Триггер Шмидта инвертирующий х 6
|
1
|
|
|
|
|
|
74HC14D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Триггер Шмидта инвертирующий х 6
|
NXP/NEXPERIA
|
1 300
|
8.24
|
|
|
|
74HC14D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Триггер Шмидта инвертирующий х 6
|
TAEJIN TECHNOLOGY CO.,LTD
|
922
|
40.78
|
|
|
|
74HC14D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Триггер Шмидта инвертирующий х 6
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
397
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
5 615
|
1.68
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
25 754
|
1.86
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
120
|
1.44
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
185
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
15 565
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
1 100
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIODES INCORPORATED
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
3 327
|
1.31
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
936 440
|
1.10
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
665 798
|
1.19
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
CJ
|
336
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
135 526
|
1.74
>100 шт. 0.87
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
7 200
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JINGDAO
|
166 895
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TWGMC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MDD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PLINGSEMIC
|
170 988
|
1.44
>100 шт. 0.72
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
20 300
|
1.98
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
8
|
2.10
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
CHIN
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
DIOTEC
|
2 404
|
1.82
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
3 046
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
2 130
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
DIODES INC
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
|
110 357
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY ME
|
646
|
1.09
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
137 450
|
1.38
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
LRC
|
1 920
|
2.07
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
KOME
|
10
|
1.61
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
SUNTAN
|
145 052
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
SEMTECH
|
36 637
|
2.81
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
YJ
|
358 633
|
1.20
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
RUME
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
TRR ELECTRONICS
|
392
|
1.23
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
NEXPERIA
|
38 436
|
1.28
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO
|
16
|
1.94
>100 шт. 0.97
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
XXW
|
50 184
|
1.44
>100 шт. 0.72
|
|