| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
1A7 |
|
диод 1А, 1000В
|
EIC
|
|
|
|
|
|
|
1A7 |
|
диод 1А, 1000В
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
1A7 |
|
диод 1А, 1000В
|
|
|
1.76
|
|
|
|
|
1A7 |
|
диод 1А, 1000В
|
WTE
|
|
|
|
|
|
|
1A7 |
|
диод 1А, 1000В
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
1A7 |
|
диод 1А, 1000В
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
1A7 |
|
диод 1А, 1000В
|
YJ ELECTRONIC CORP
|
|
|
|
|
|
|
1A7 |
|
диод 1А, 1000В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
1A7 |
|
диод 1А, 1000В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
1A7 |
|
диод 1А, 1000В
|
GD
|
|
|
|
|
|
|
1A7 |
|
диод 1А, 1000В
|
MASTER CHIP
|
|
|
|
|
|
|
1A7 |
|
диод 1А, 1000В
|
YJ
|
3 192
|
2.09
|
|
|
|
|
1A7 |
|
диод 1А, 1000В
|
YS
|
|
|
|
|
|
|
1A7 |
|
диод 1А, 1000В
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
1A7 |
|
диод 1А, 1000В
|
GALAXY ME
|
6 153
|
1.38
|
|
|
|
|
1A7 |
|
диод 1А, 1000В
|
LGE
|
11 960
|
1.69
|
|
|
|
|
1A7 |
|
диод 1А, 1000В
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
|
1A7 |
|
диод 1А, 1000В
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
1A7 |
|
диод 1А, 1000В
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
|
1A7 |
|
диод 1А, 1000В
|
MIC
|
12
|
2.05
|
|
|
|
|
1A7 |
|
диод 1А, 1000В
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
1A7 |
|
диод 1А, 1000В
|
YANGJIE
|
234 200
|
1.59
|
|
|
|
|
1A7 |
|
диод 1А, 1000В
|
HOTTECH
|
64 276
|
1.98
>100 шт. 0.99
|
|
|
|
|
1A7 |
|
диод 1А, 1000В
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
|
1A7 |
|
диод 1А, 1000В
|
SUNMATE
|
5 440
|
1.47
|
|
|
|
 |
DB3 A |
|
Динистор симметричный
|
|
|
|
|
|
|
|
DB3 A |
|
Динистор симметричный
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
DB4 |
|
Динистор 40V 2A
|
ST MICROELECTRONICS
|
19 583
|
2.23
|
|
|
|
|
DB4 |
|
Динистор 40V 2A
|
|
1 320
|
10.08
|
|
|
|
|
DB4 |
|
Динистор 40V 2A
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
DB4 |
|
Динистор 40V 2A
|
DIOTEC
|
9 229
|
2.48
|
|
|
|
|
DB4 |
|
Динистор 40V 2A
|
|
1 320
|
10.08
|
|
|
|
|
DB4 |
|
Динистор 40V 2A
|
YT
|
|
|
|
|
|
|
DB4 |
|
Динистор 40V 2A
|
1
|
|
|
|
|
|
|
IRF4905PBF |
|
Транзистор полевой P-канальный (Vds=55V, Id=74A@T=25C, Id=52A@T=100C, Rds=0.02 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF4905PBF |
|
Транзистор полевой P-канальный (Vds=55V, Id=74A@T=25C, Id=52A@T=100C, Rds=0.02 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
3
|
|
|
|
|
|
IRF4905PBF |
|
Транзистор полевой P-канальный (Vds=55V, Id=74A@T=25C, Id=52A@T=100C, Rds=0.02 ...
|
|
1 509
|
71.29
|
|
|
|
|
IRF4905PBF |
|
Транзистор полевой P-канальный (Vds=55V, Id=74A@T=25C, Id=52A@T=100C, Rds=0.02 ...
|
INFINEON
|
19 499
|
75.58
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
ВЗПП
|
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
|
960
|
26.13
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
INFINEON
|
12
|
41.85
|
|
Версия для печати
