Версия для печати
Технические характеристики SN74LS06N

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	74LS
Логический тип	Inverter
Число входов	1
Число каналов	6
Ток выходной макс., мин.	40mA, 40mA
Напряжение питания	4.75 V ~ 5.25 V
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	14-DIP (0.300", 7.62mm)
Корпус	14-PDIP

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Логические элементы

 » 

Вентили, инверторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		74HC04N (SN74HC04N)		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6	TEXAS INSTRUMENTS
		74HC04N (SN74HC04N)		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6
		BAT41		Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)	NXP
		BAT41		Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)	ST MICROELECTRONICS
		BAT41		Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)		4	13.64
		BAT41		Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BAT41		Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)	STMicroelectronics
		BAT41		Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		BAT41		Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BAT41		Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)	ST MICROELECTRO
		BAT41		Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)	STMICROELECTR
		BC327-25		Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 0.8A, 0.6W, 100MHz, B=100-250	NXP
		BC327-25		Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 0.8A, 0.6W, 100MHz, B=100-250	PHILIPS	800	8.59
		BC327-25		Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 0.8A, 0.6W, 100MHz, B=100-250			6.16
		BC327-25		Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 0.8A, 0.6W, 100MHz, B=100-250	DC COMPONENTS	15 783	1.13
		BC327-25		Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 0.8A, 0.6W, 100MHz, B=100-250	DIOTEC
		BC327-25		Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 0.8A, 0.6W, 100MHz, B=100-250	OTHER	12
		BC327-25		Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 0.8A, 0.6W, 100MHz, B=100-250	США
		BC327-25		Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 0.8A, 0.6W, 100MHz, B=100-250	PHILIPS SEMIC
		BC327-25		Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 0.8A, 0.6W, 100MHz, B=100-250	FAIRCHILD
		BC327-25		Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 0.8A, 0.6W, 100MHz, B=100-250	FSC
		BC327-25		Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 0.8A, 0.6W, 100MHz, B=100-250	SEMTECH
		BC327-25		Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 0.8A, 0.6W, 100MHz, B=100-250	KLS
		BC327-25		Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 0.8A, 0.6W, 100MHz, B=100-250	LGE
		BC327-25		Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 0.8A, 0.6W, 100MHz, B=100-250	ASEMI
		BC327-25		Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 0.8A, 0.6W, 100MHz, B=100-250	XXW	2 496	1.08
		CD4503BE		Шесть буферов с 3 сост.выхода (4 + 2)	TEXAS INSTRUMENTS
		CD4503BE		Шесть буферов с 3 сост.выхода (4 + 2)	ST MICROELECTRONICS
		CD4503BE		Шесть буферов с 3 сост.выхода (4 + 2)		11	51.80
		CD4503BE		Шесть буферов с 3 сост.выхода (4 + 2)	TEXAS
		CD4503BE		Шесть буферов с 3 сост.выхода (4 + 2)	TEXAS INSTRUMEN
		CD4503BE		Шесть буферов с 3 сост.выхода (4 + 2)	4-7 НЕДЕЛЬ	240
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	NEC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS	266	34.36
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	UTC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА		32	14.76
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTRONICS
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS SEMI	5
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	Fairchild Semiconductor
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	КИТАЙ
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST1
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRO
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	HGSEMI	6 115	14.54
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	4-7 НЕДЕЛЬ	552

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"