FDP18N50


500v n-channel mosfet

FDP18N50 (заказ)
FDP18N50

Технические характеристики FDP18N50

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияUniFET™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs265 mOhm @ 9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C18A
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs60nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds2860pF @ 25V
Power - Max235W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3
КорпусTO-220
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru