| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
74HC245D,653 |
|
стандартная логика Octal Bus Tranceiver with 3-state outputs
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
74HC245D,653 |
|
стандартная логика Octal Bus Tranceiver with 3-state outputs
|
NXP Semiconductors
|
|
|
|
|
|
|
74HC245D,653 |
|
стандартная логика Octal Bus Tranceiver with 3-state outputs
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
74HC245D,653 |
|
стандартная логика Octal Bus Tranceiver with 3-state outputs
|
NEX
|
|
|
|
|
|
|
74HC245D,653 |
|
стандартная логика Octal Bus Tranceiver with 3-state outputs
|
|
4 760
|
19.44
|
|
|
|
|
74HC245D,653 |
|
стандартная логика Octal Bus Tranceiver with 3-state outputs
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
|
74HC245D,653 |
|
стандартная логика Octal Bus Tranceiver with 3-state outputs
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
|
74HC245D,653 |
|
стандартная логика Octal Bus Tranceiver with 3-state outputs
|
NEX-NXP
|
|
|
|
 |
 |
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
5 607
|
1.68
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
12 161
|
1.32
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
185
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
15 485
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
1 100
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIODES INCORPORATED
|
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
339 828
|
1.72
>100 шт. 0.86
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
565 040
|
1.80
>100 шт. 0.90
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
CJ
|
336
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
87 336
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
7 200
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JINGDAO
|
166 815
|
1.18
>100 шт. 0.59
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TWGMC
|
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MDD
|
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PLINGSEMIC
|
141 950
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SLKOR
|
96
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KEEN SIDE
|
149 529
|
1.35
>500 шт. 0.45
|
|
|
|
|
RC0603FR-07100RL |
|
|
YAGEO
|
1 427 865
|
0.60
>1000 шт. 0.12
|
|
|
|
|
RC0603FR-07100RL |
|
|
YAGEO
|
2 580
|
|
|
|
|
|
RC0603FR-07100RL |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
SH006M1000B5S-1012 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 6.3 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
SH006M1000B5S-1012 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 6.3 В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
SH006M1000B5S-1012 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 6.3 В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
К293ЛП8Р |
|
(5П18) , Быстродействующие логические инверторы , корпус DIP8
|
|
414
|
202.40
|
|
|
|
|
К293ЛП8Р |
|
(5П18) , Быстродействующие логические инверторы , корпус DIP8
|
ПРОТОН
|
201
|
216.97
|
|
|
|
|
К293ЛП8Р |
|
(5П18) , Быстродействующие логические инверторы , корпус DIP8
|
ИЗЛУЧАТЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
|
К293ЛП8Р |
|
(5П18) , Быстродействующие логические инверторы , корпус DIP8
|
ПРОТОН
|
|
|
|
Версия для печати
