IRL1404Z
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1 mOhm @ 75A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 75A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 110nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5080pF @ 25V |
| Power - Max | 230W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRL1404Z (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1500МКФ 6.3 (8X20)105°C |
|
|
||||||
| ПЭ 7.5 100 ОМ 5% | 3 | 33.60 | ||||||
| РЕЗИСТОР ИМП. 1 W-0,33 ОМ-5% |
|
|
||||||
| РЕЗИСТОР ИМП. 1 W-0,47 ОМ-5% | 4 | 11.10 | ||||||
| РЕЗИСТОР ИМП. 2 W-22 ОМ-5% |
|
|
