IXTU01N100

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IXTU01N100 (IXYS CORPORATION.)	47	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики IXTU01N100

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80 Ohm @ 100mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	100mA
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 25µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	6.9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	54pF @ 25V
Power - Max	25W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Корпус	TO-251AA

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXTU01N100 (MOSFET)

High Voltage MOSFET

Производитель:
IXYS

IXTU01N100 datasheet
85.7 Кб