SIA433EDJ-T1-GE3
|
| Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
|
SIA433EDJ-T1-GE3 (SILICONIX.) |
3 |
3-4 недели
Цена по запросу
|
|
MOSFET P-CH D-S 20V SC-70-6
|
Версия для печати
Технические характеристики SIA433EDJ-T1-GE3
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 7.6A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 12A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 75nC @ 8V |
| Power - Max | 19W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | PowerPAK® SC-70-6 |
| Корпус | PowerPAK® SC-70-6 Single |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
