EPC1PI8

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
EPC1PI8		1 334.00
EPC1PI8 (4-7 НЕДЕЛЬ)	72	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики EPC1PI8

Корпус	8-PDIP
Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Напряжение питания	3 V ~ 3.6 V, 4.5 V ~ 5.5 V
Объем памяти	1Mb
Тип программирования	OTP
Серия	EPC
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

EPC1064C (EPROM)

SRAM-Based LUT Devices

Также в этом файле: EPC1PI8

Производитель:
Altera Corporation
//www.altera.com

EPC1PI8 datasheet
527.92Kb
36стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SC1815	Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	CHANGJIANG ELECTRONIC TECH
2SC1815	Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	DC COMPONENTS	5 881	3.70
2SC1815	Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz		17 605	1.92 >100 шт. 0.96
2SC1815	Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	CHANGJIANG ELECTRONIC TECH CO
2SC1815	Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	TOSHIBA
2SC1815	Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	KEEN SIDE	37 060	0.90 >500 шт. 0.30
2SC1815	Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	MERRYELC
2Т950А			9	2 208.00
2Т950А		ПУЛЬСАР	6	5 936.00
IRFP260NPBF	Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFP260NPBF	Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFP260NPBF	Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W	INFINEON	544	262.34
IRFP260NPBF	Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W
LM2576T-15G		ON SEMICONDUCTOR
LM2576T-15G		ONS
PIC17C756A-33I/L	4Kx14 Flash 36I/O 20MHz	MICRO CHIP
PIC17C756A-33I/L	4Kx14 Flash 36I/O 20MHz	Microchip Technology
PIC17C756A-33I/L	4Kx14 Flash 36I/O 20MHz
PIC17C756A-33I/L	4Kx14 Flash 36I/O 20MHz
PIC17C756A-33I/L	4Kx14 Flash 36I/O 20MHz	4-7 НЕДЕЛЬ	588