| Количество каналов | 1 |
| Постоянное прямое входное напряжение Uвх.,В | 3.8 |
| при входном токе Iвх.,мА | 12 |
| Максимальный входной ток Iвх.макс.,мА | 15 |
| Максимальный импульсный входной ток Iвх.имп.макс.,мА | 100 |
| Максимальное входное обратное напряжение Uвх.обр.макс.,В | 6 |
| Выходной каскад | фоторезистор |
| Максимальный выходной ток Iвых.макс.,мА | 5 |
| Время нарастания выходного сигнала tнр.,мкс | 10 |
| Время спада выходного сигнала tсп.,мкс | 150 |
| Максимальное напряжение изоляции,В | 1500 |
| Рабочая температура, С | -60...70 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
1N5408 (3A 1000V) |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
|
|
|
|
|
|
|
AD817AN |
|
Низкопотребляющие, высокоскоростные операционные усилители, 50МГц, 350В/мкС, Uпит от ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
AD817AN |
|
Низкопотребляющие, высокоскоростные операционные усилители, 50МГц, 350В/мкС, Uпит от ...
|
|
|
356.00
|
|
|
|
|
AD817AN |
|
Низкопотребляющие, высокоскоростные операционные усилители, 50МГц, 350В/мкС, Uпит от ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
AD817AN |
|
Низкопотребляющие, высокоскоростные операционные усилители, 50МГц, 350В/мкС, Uпит от ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
AD817AN |
|
Низкопотребляющие, высокоскоростные операционные усилители, 50МГц, 350В/мкС, Uпит от ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
740
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
VISHAY
|
66
|
73.09
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
ВЗПП
|
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
|
120
|
24.60
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
INFINEON
|
12
|
23.21
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
15
|
|
|
|
|
|
|
TL071IDR |
|
1xOP JFET +-18V LN 13V/us
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
TL071IDR |
|
1xOP JFET +-18V LN 13V/us
|
|
|
30.80
|
|
|
|
|
TL071IDR |
|
1xOP JFET +-18V LN 13V/us
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
TL071IDR |
|
1xOP JFET +-18V LN 13V/us
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
225
|
|
|
|
|
|
АЛ307БМ |
|
Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В
|
|
2 356
|
33.12
|
|
|
|
|
АЛ307БМ |
|
Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В
|
ПЛАНЕТА СИД
|
|
|
|
|
|
|
АЛ307БМ |
|
Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В
|
СТАРТ
|
368
|
31.00
|
|
|
|
|
АЛ307БМ |
|
Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В
|
ПЛАНЕТА-СИД
|
|
|
|
|
|
|
АЛ307БМ |
|
Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В
|
ПРОТОН
|
|
|
|
|
|
|
АЛ307БМ |
|
Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
АЛ307БМ |
|
Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В
|
ПЛАНЕТА
|
|
|
|
|
|
|
АЛ307БМ |
|
Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В
|
3
|
|
|
|
|
|
|
АЛ307БМ |
|
Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В
|
6162
|
|
|
|
Версия для печати
