С2-23-0,25-2,2 КОМ-5%
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
MR856G |
|
Силовой диод 600В, 3А, 300нс | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
MR856G |
|
Силовой диод 600В, 3А, 300нс | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
MR856G |
|
Силовой диод 600В, 3А, 300нс | ONS |
|
|
|
|
|
|
MR856G |
|
Силовой диод 600В, 3А, 300нс |
|
41.96 | ||
| SCZ-1 | BM |
|
|
|||||
| SCZ-1 | 26 | 585.90 | ||||||
| SCZ-1 | КИТАЙ |
|
|
|||||
 |
|
КТ3117А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ... | 48 | 297.60 | ||
|
|
|
КТ3117А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ... | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ3117А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ... | ДАЛЕКС |
|
|
|
|
|
|
КТ3117А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ... | RUS |
|
|
|
| С2-23-0,25 5,11 КОМ 1% |
|
|
||||||
| С2-23-0.25-36.5К 2% |
|
|
