| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
AD8310ARMZ |
|
Логарифмический усилитель
|
ANALOG DEVICES
|
3
|
1 683.57
|
|
|
|
AD8310ARMZ |
|
Логарифмический усилитель
|
|
|
1 080.00
|
|
|
|
AD8310ARMZ |
|
Логарифмический усилитель
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD8310ARMZ |
|
Логарифмический усилитель
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
AD8310ARMZ |
|
Логарифмический усилитель
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
AD8310ARMZ |
|
Логарифмический усилитель
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
433
|
|
|
|
|
ATMEGA32A-AU |
|
Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
ATMEGA32A-AU |
|
Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
ATMEGA32A-AU |
|
Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B
|
|
148
|
221.65
|
|
|
|
ATMEGA32A-AU |
|
Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B
|
ATMEL CORPORATION
|
|
|
|
|
|
ATMEGA32A-AU |
|
Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B
|
США
|
|
|
|
|
|
ATMEGA32A-AU |
|
Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
ATMEGA32A-AU |
|
Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B
|
ATMEL CORPORATION
|
|
|
|
|
|
ATMEGA32A-AU |
|
Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B
|
ATMEL1
|
|
|
|
|
|
ATMEGA32A-AU |
|
Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B
|
MICRO CHIP
|
1 744
|
216.97
|
|
|
|
ATMEGA32A-AU |
|
Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B
|
NO NAME
|
|
|
|
|
|
ATMEGA32A-AU |
|
Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
724
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
2 892
|
1.70
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
|
77 904
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY
|
325
|
2.08
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
3 888
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DI
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIOTEC
|
3 917
|
2.09
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
102
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
HOTTECH
|
1 549
|
1.30
>100 шт. 0.65
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMTECH
|
11
|
2.49
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
52
|
1.27
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
KOME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
JSCJ
|
66 995
|
1.25
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YJ
|
260 744
|
1.23
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
XXW
|
10 448
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
CJ
|
8 000
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
64
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
HXY
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
3615
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
10000
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
1500
|
|
|
|
|
|
|
LTV817S |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=50%1mA
|
LITE-ON
|
|
|
|
|
|
|
LTV817S |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=50%1mA
|
|
2
|
38.00
|
|
|
|
|
LTV817S |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=50%1mA
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
LTV817S |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=50%1mA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
LTV817S |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=50%1mA
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
521
|
|
|
|
|
|
STPS340U |
|
Диод Шоттки 40V 3A SMB
|
ST MICROELECTRONICS
|
32
|
13.70
|
|
|
|
|
STPS340U |
|
Диод Шоттки 40V 3A SMB
|
|
12 160
|
9.29
|
|
|
|
|
STPS340U |
|
Диод Шоттки 40V 3A SMB
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
662
|
|
|
|
|
|
STPS340U |
|
Диод Шоттки 40V 3A SMB
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STPS340U |
|
Диод Шоттки 40V 3A SMB
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
STPS340U |
|
Диод Шоттки 40V 3A SMB
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
STPS340U |
|
Диод Шоттки 40V 3A SMB
|
TOKMAS
|
33 864
|
3.32
|
|
|
|
|
STPS340U |
|
Диод Шоттки 40V 3A SMB
|
KEEN SIDE
|
2 512
|
3.17
|
|