Версия для печати
Технические характеристики CC0805KKX5R7BB475

Производитель	Yageo Corporation
Температурный коэфициент	X5R
Допуск емкости	±10%
Номинальное постоянное напряжение	16 В
Тип диэлектрика	X5R
Номинальное напряжение	16 В
Рабочая температура	-55...85 °C
	Multilayer chip capacitance
Размер	2.0x1.2x1.2
Емкость	4.7 мкФ
Серия	CC_0805
Корпус (размер)	0805
Тип монтажа	Поверхностный
Тип	Керамический

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP	5 607	1.68
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIR
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DC COMPONENTS	22 728	1.92
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DIOTEC
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIRCHILD
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	GALAXY
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIRCHILD
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NATIONAL SEMICONDUCTOR	185
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PANJIT
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ST MICROELECTRONICS
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	SEMTECH
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)		14 685	1.38  >100 шт.   0.69
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP	1 100
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DIODES INCORPORATED
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONS
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONSEMICONDUCTOR
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	GALAXY ME
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LRC
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	HOTTECH	414 626	1.74  >100 шт.   0.87
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	KLS
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	SUNTAN
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YJ	609 750	1.98  >100 шт.   0.99
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YANGJIE (YJ)
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	CJ	336	1.28  >100 шт.   0.64
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	JSCJ	123 414	1.30  >100 шт.   0.65
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YANGJIE	7 200	1.38  >100 шт.   0.69
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	JINGDAO	166 895	1.16  >100 шт.   0.58
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	TWGMC
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	MDD
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PLINGSEMIC	194 242	1.48  >100 шт.   0.74
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YANGZHOU YANGJIE
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	SLKOR	120	1.40  >100 шт.   0.70
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NXP	800	7.56
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	FAIR
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	PHILIPS
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DC COMPONENTS	18 173	2.32
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	ITT SEMICONDUCTOR
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DIOTEC	1 651	3.04
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	MCC
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	FAIRCHILD
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DI
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	FAIRCHILD
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	ITT SEMICONDUCTOR	2 181
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NXP
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	PHILIPS
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	GALAXY
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	INFINEON
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	STMicroelectronics
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NXP SEMIC
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	КИТАЙ
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	МАЛАЙЗИЯ
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	INFINEON TECH
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450		4	2.52
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DIODES
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	HOTTECH	338 410	1.62  >100 шт.   0.81
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DCCOMPONENTS
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	GALAXY ME
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	SEMTECH
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	LRC
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	KLS
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	SUNTAN	96 656	1.58  >100 шт.   0.79
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	YJ	163 296	1.66  >100 шт.   0.83
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	TRR
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	1
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	KEFAN
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	SLKOR	200 840	1.06  >100 шт.   0.53
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NEXPERIA	65 290	1.38
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	PLINGSEMIC	169 946	1.38  >100 шт.   0.69
		RC0805FR-072KL			YAGEO	23 980	0.60  >1000 шт.   0.12
		RC0805FR-072KL			YAGEO	13 912
		RC0805FR-072KL				4 000
		RC0805JR-071KL				2 192	2.10
		RC0805JR-071KL			YAGEO	1 771 573	1.00  >1000 шт.   0.20
		RC0805JR-071KL			YAGEO
		RC0805JR-071KL			PHYCOMP
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	GENERAL SEMICONDUCTOR
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	DC COMPONENTS	148 669	2.64
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	MASTER INSTRUMENT CO
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	FAIR
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	GENERAL INSTRUMENT
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	JIFU SEMICONDUCTOR
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	FAIRCHILD
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	MCC
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	GALAXY
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	FAIRCHILD
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	OTHER
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	Fairchild Semiconductor
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	YJ	285 434	1.59
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	КИТАЙ
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс		40 774	1.82  >100 шт.   0.91
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	MIC
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	ONS-FAIR
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	ONS
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	ON SEMICONDUCTOR
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	GALAXY ME
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	HOTTECH	86 495	1.23
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	YANGJIE	16 000	1.41
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	YANGJIE (YJ)
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	JSCJ
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	1
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	MDD	56 432	1.05
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	TRR	316 000	1.36  >100 шт.   0.68
		SS14		Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс	YANGZHOU YANGJIE

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"